一种功率晶体管及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种功率晶体管及其制作方法，先在漏区与漂移区上制作栅区结构、沟道区及源区，然后对所述外延层进行刻蚀形成深沟槽并对所述深沟槽进行P型离子斜注入形成P型掺杂层，然后对所述深沟槽填充P型外延或绝缘材料形成P型柱体，最后制作隔离层及电极结构以完成制作。本发明专利技术先对深沟槽进行离子斜注入，然后对其填充P型外延或者绝缘材料，可以精确的控制离子注入的浓度和剂量，可获得宽度较小的P型柱体，有利于器件可靠性和集成度的提高；本发明专利技术也可以对所述深沟槽填充绝缘材料，配合离子斜注入也可以有效增加器件的击穿电压，增加N型体区的掺杂浓度，降低导通电阻，而且有利于节约成本。本发明专利技术工艺简单，适用于工业生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体领域，特别是涉及。
技术介绍
功率晶体管一般用于控制功率电子器件合理工作，通过功率电子器件为负载提供大功率的输出。功率晶体管已广泛用于控制功率输出，高频大功率晶体管的应用电子设备的扫描电路中，如彩电，显示器，示波器，大型游戏机的水平扫描电路，视放电路，发射机的功率放大器等,亦广泛地应用到例如对讲机,手机的射频输出电路，高频振荡电路和高速电子开关电路等电路中。一般说来，功率器件通常工作于高电压、大电流的条件下，普遍具备耐压高、工作电流大、自身耗散功率大等特点，因此在使用时与一般小功率器件存在一定差别。为了让开关器件的功能得到良好的发挥，功率半导体场效应晶体管需要满足两个基本要求:1、当器件处于导通状态时，能拥有非常低的导通电阻，最小化器件本身的功率损耗；2、当器件处于关断状态时，能拥有足够闻的反向击穿电压。所谓超结功率晶体管，是一种改进型晶体管，在传统晶体管的低掺杂N型体区中制备具有特定间隔的P型柱。由于P型柱和N型体区之间的电荷补偿，超结功率晶体管可以获得很高的击穿电压。P型柱的制备可以提高N型体区的掺杂浓度，而高掺杂的N型体区则可以获得很低的导通电阻，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率晶体管的制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤：1)提供第一导电类型的半导体衬底，在所述半导体衬底上形成第一导电类型的外延层，于所述外延层内制作栅区结构并在所述外延层中形成第二导电类型层；2)于所述第二导电类型层中形成第一导电类型层；3)刻蚀所述外延层以分别在所述栅区结构的两侧形成深沟槽，然后采用斜注入工艺对所述深沟槽侧壁进行第二导电类型离子注入，形成第二导电类型掺杂层；4)于所述深沟槽内填充第二导电类型材料或绝缘材料，形成第二导电类型的柱体结构；5)于所述第一导电类型层及所述柱体结构表面形成隔离层；6)刻蚀与所述栅区结构两侧具有预设间隔的隔离层、第一导电类型层以露出所述第二导电类型层...

【技术特征摘要】
1.一种功率晶体管的制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤: 1)提供第一导电类型的半导体衬底，在所述半导体衬底上形成第一导电类型的外延层，于所述外延层内制作栅区结构并在所述外延层中形成第二导电类型层； 2)于所述第二导电类型层中形成第一导电类型层； 3)刻蚀所述外延层以分别在所述栅区结构的两侧形成深沟槽，然后采用斜注入工艺对所述深沟槽侧壁进行第二导电类型离子注入，形成第二导电类型掺杂层； 4)于所述深沟槽内填充第二导电类型材料或绝缘材料，形成第二导电类型的柱体结构； 5)于所述第一导电类型层及所述柱体结构表面形成隔离层； 6)刻蚀与所述栅区结构两侧具有预设间隔的隔离层、第一导电类型层以露出所述第二导电类型层，然后制备出覆盖于所述第二导电类型层及隔离层的上电极，使所述上电极同时与所述栅区结构每一侧的第二导电类型层及第一导电类型层接触。2.根据权利要求1所述的功率晶体管的制作方法，其特征在于:所述步骤I)先制作掩膜版并刻蚀所述外延层以形成栅区沟槽，然后在所述栅区沟槽内形成栅氧层，接着在所述栅区沟槽内沉积栅极材料，于所述栅极材料表面形成氧化层，并使所述氧化层表面与所述外延层表面处于同一平面，以完成所述栅区结构的制作。3.根据权利要求1所述的功率晶体管的制作方法，其特征在于:所述步骤I)中，通过第二导电类型离子注入以在所述外延层上形成第二导电类型层，且所述第二导电类型层的厚度小于所述栅区结构的深`度；所述步骤2)中，通过第一导电类型离子注入以在所述第二导电类型层表面形成第一导电类型层。4.根据权利要求1所述的功率晶体管的制作方法，其特征在于:所述步骤3)中，所述斜注入工艺采用的注入角度为疒30°。5.根据权利要求1所述的功率晶体管的制作方法，其特征在于:所述深沟槽的深度...

【专利技术属性】
技术研发人员：白玉明，
申请(专利权)人：无锡维赛半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：