超薄SOI半导体器件制造方法及超薄SOI半导体器件技术

本发明专利技术公开了一种超薄SOI半导体器件制造方法以及采用该方法制成的超薄SOI半导体器件，该方法包括：提供超薄SOI衬底；在所述超薄SOI衬底上形成栅介质层、栅极和偏移侧墙；对所述偏移侧墙外侧的顶层衬底进行第一次外延生长；对所述偏移侧墙外侧的顶层衬底进行轻掺杂以形成轻掺杂漏LDD区；在所述偏移侧墙外侧形成主侧墙；对所述主侧墙外侧的顶层衬底进行第二次外延生长；对所述主侧墙外侧的顶层衬底进行重掺杂以形成抬升源/漏极区。经过该方法制成的超薄SOI半导体器件，降低了主侧墙底部的抬升源/漏极区部分的电阻，同时降低了抬升源/漏极区和栅极之间的电容；本发明专利技术实现了同时具有较低电阻和较低电容的新型超薄SOI半导体器件，进而从整体上提升了超薄SOI半导体器件的性能。

【技术实现步骤摘要】
超薄SOI半导体器件制造方法及超薄SOI半导体器件
本专利技术涉及半导体制造技术,特别涉及一种超薄SOI (Silicon On Insulator,绝缘体上硅)半导体的制造方法和半导体器件。
技术介绍
目前，随着对半导体器件关键尺寸(CD，Critical Dimension)的降低以及对半导体器件的低功耗高速度要求的提高，基于超薄SOI的半导体器件已经广泛的应用半导体制造和应用领域。基于超薄SOI衬底制成的超薄SOI半导体器件，在超薄SOI衬底的顶层衬底中提供了完全耗尽的导电沟道，实现了对所制成的半导体器件的短沟道效应的良好控制。图1和图2为现有的两种超薄SOI半导体器件的结构示意图。如图1所示，现有的一种超薄SOI半导体器件，其包括了超薄SOI衬底1、位于超薄SOI衬底I之上的栅极结构2、位于栅极结构2两侧的抬升源/漏极区3 ;其中，该超薄SOI衬底I包括了底层衬底101、位于底层衬底101之上的衬底绝缘层102、以及位于衬底绝缘层102之上的顶层衬底；该栅极结构2包括位于超薄SOI衬底I中的顶层衬底之上的栅介质层201、位于所述栅介质层201之上的栅极202、位于栅极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种超薄SOI半导体器件制造方法，包括：提供超薄SOI衬底，包括衬底绝缘层和位于衬底绝缘层之上的顶层衬底；在所述超薄SOI衬底上形成栅介质层、栅极和偏移侧墙；对所述偏移侧墙外侧的顶层衬底进行第一次外延生长，以使得所述偏移侧墙外侧的顶层衬底表面高于栅介质层底部的顶层衬底；对所述偏移侧墙外侧的顶层衬底进行轻掺杂以形成轻掺杂漏LDD区；在所述偏移侧墙外侧形成主侧墙，所述主侧墙的底部位于偏移侧墙外侧的顶层衬底之上使得所述主侧墙的底部高于栅介质层底部的顶层衬底；对所述主侧墙外侧的顶层衬底进行第二次外延生长，以使得主侧墙的底部低于所述主侧墙外侧的顶层衬底表面；对所述主侧墙外侧的顶层衬底进行重掺杂以形成抬升...

【技术特征摘要】
1.一种超薄SOI半导体器件制造方法，包括: 提供超薄SOI衬底，包括衬底绝缘层和位于衬底绝缘层之上的顶层衬底； 在所述超薄SOI衬底上形成栅介质层、栅极和偏移侧墙； 对所述偏移侧墙外侧的顶层衬底进行第一次外延生长，以使得所述偏移侧墙外侧的顶层衬底表面高于栅介质层底部的顶层衬底； 对所述偏移侧墙外侧的顶层衬底进行轻掺杂以形成轻掺杂漏LDD区； 在所述偏移侧墙外侧形成主侧墙，所述主侧墙的底部位于偏移侧墙外侧的顶层衬底之上使得所述主侧墙的底部高于栅介质层底部的顶层衬底； 对所述主侧墙外侧的顶层衬底进行第二次外延生长，以使得主侧墙的底部低于所述主侧墙外侧的顶层衬底表面； 对所述主侧墙外侧的顶层衬底进行重掺杂以形成抬升源/漏极区。2.根据权利要求1所述的超薄SOI半导体器件制造方法，其特征在于:所述超薄SOI衬底中的顶层衬底厚度为5~200nm。3.根据权利要求1所述的超薄SOI半导体器件制造方法，其特征在于:对所述偏移侧墙外侧的顶层衬底进行第一次外延生长后，所述偏移侧墙外侧的顶层衬底的厚度为10~300nm。4.根据权利要求1所述的超薄SOI半导体器件制造方法，其特征在于:对所述主侧墙外侧的顶层衬底进行第二次外延生长后，所述主侧墙外侧的顶层衬底的厚度为5(T500nm。5.根据权利要求1所述的超薄SOI半导体器件制造方法，其特征在于:所述衬底绝缘层材料为氧化硅，所述顶层衬底为硅衬底，所述栅介质层材料为氧化硅，所述栅极为多晶硅栅极，所述偏移侧墙材料为...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘金华，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：