一种横向扩散场效应晶体管结构和制作方法技术

本发明专利技术提供了一种横向扩散场效应晶体管结构和制作方法,利用N阱版图和与N阱版图部分重叠的P阱版图制作具有重叠区域的漂移区和阱区，且该重叠区域位于栅极下方，形成一个离子注入浓度梯度缓慢变化，同时耗尽区宽度较宽的PN结，减小了现有技术中漂移区与阱区交界处PN结的电场强度，从而减小热载流子注入效应，改善横向扩散场效应晶体管的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及。
技术介绍
横向扩散场效应晶体管(lateraldiffused MOS transistor, LDMOS),是一种常用的高压器件。与普通MOS器件相比，LDMOS在漏极所在区域有一个较长的轻掺杂注入区，通常这部分结构被称为漂移区。LDMOS通过这一轻掺杂漂移区来承受较高的电压。同时为降低漏极电压对沟道的影响，通常在漂移区与漏极之间有浅沟槽隔离结构(STI)，由于LDMOS技术具有简单、可靠、成熟的特点，以及良好的表现，同时由于LDMOS晶体管的制造工艺可以与现有的标准CMOS工艺完全兼容，LDMOS完全共享现有CMOS工艺和掩膜板，仅需在掩膜板制作中定义出LDMOS的版图即可，所以更加易于实现与低压CMOS电路的大规模集成，降低制造成本。它主要应用于各种功率电路，在2GHz以下的单管功率放大器中得到了非常广泛的应用。以N型(N沟道)LDMOS为例介绍LDMOS的结构和制作方法，图1示出了采用现有技术制作的N型LDMOS的剖面结构示意图，图1中所示的LDMOS结构均可以通过版图(layout)设计的方法，利用标准的CMOS工艺就能实本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种横向扩散场效应晶体管的制作方法，提供一半导体衬底，该方法包括：制作用于定义阱区的第一版图；制作用于定义漂移区的第二版图；在半导体衬底上定义出有源区，通过刻蚀制作出浅沟槽隔离；分别按照所述第一、第二版图在所述半导体衬底中制作阱区和漂移区，所述阱区和所述漂移区具有重叠区域；在所述阱区和漂移区的上方制作栅极氧化层以及栅极多晶硅层；在所述栅极多晶硅层侧壁形成侧墙；在所述侧墙的两侧的所述阱区和漂移区中通过自对准离子注入分别形成源漏区。

【技术特征摘要】
1.一种横向扩散场效应晶体管的制作方法，提供一半导体衬底，该方法包括: 制作用于定义阱区的第一版图； 制作用于定义漂移区的第二版图； 在半导体衬底上定义出有源区，通过刻蚀制作出浅沟槽隔离； 分别按照所述第一、第二版图在所述半导体衬底中制作阱区和漂移区，所述阱区和所述漂移区具有重叠区域； 在所述阱区和漂移区的上方制作栅极氧化层以及栅极多晶硅层； 在所述栅极多晶硅层侧壁形成侧墙； 在所述侧墙的两侧的所述阱区和漂移区中通过自对准离子注入分别形成源漏区。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阱区和漂移区具有重叠区域的长度范围是大于零且小于所述阱区长度。3....

【专利技术属性】
技术研发人员：周地宝，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：