一种半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构；在所述半导体衬底上形成一牺牲层，以覆盖所述栅极结构；回蚀刻所述牺牲层；在所述半导体衬底上依次形成一底部抗反射涂层和一具有用于形成实施LDD注入的工艺窗口的图形的光刻胶层；将所述图形转移到所述底部抗反射涂层和所述牺牲层中；去除所述具有所述图形的光刻胶层；以所述半导体衬底上残留的牺牲层和底部抗反射涂层为掩膜，执行一LDD注入过程；去除所述半导体衬底上残留的牺牲层和底部抗反射涂层。根据本发明专利技术，可以改善实施LDD注入工艺的工艺窗口。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造工艺，具体而言涉及一种改善轻掺杂漏极(LDD)注入工艺 的工艺窗口的方法。
技术介绍
当半导体制造工艺的节点来到32nm及以下时，对于静态随机存储器(SRAM)而言， 其所包含的栅极阵列中的各个栅极之间具有窄的节距(pitch)和小的间距(space)，由此 导致在栅极两侧的半导体衬底中形成LDD注入区时所使用的LDD注入工艺的工艺窗口过 小，进而无法形成预期的LDD注入区。现有的LDD注入工艺的实施过程如下:首先，如图1A所示，提供半导体衬底100， 所述半导体衬底100上具有栅极结构，所述栅极结构包括自下而上依次层叠的栅极介电层 101和栅极材料层102，在所述栅极结构的侧壁和顶部形成有侧壁体103 ;接着，如图1B所 示，在所述半导体衬底100上形成一具有实施LDD注入工艺所需的图形的光刻胶层104 ;接 着，如图1C所示，以所述光刻胶层104为掩膜，实施所述LDD注入工艺105 ;最后，如图1D所 示，去除所述光刻胶层104。上述工艺存在的问题是:如图1C所示，所述LDD注入工艺105的倾角很小(注入离 子的运动方向与垂直于所述半导体衬底10本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，包括：a)提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构；b)在所述半导体衬底上形成一牺牲层，以覆盖所述栅极结构；c)回蚀刻所述牺牲层；d)在所述半导体衬底上依次形成一底部抗反射涂层和一具有用于形成实施LDD注入的工艺窗口的图形的光刻胶层；e)将所述图形转移到所述底部抗反射涂层和所述牺牲层中；f)去除所述具有所述图形的光刻胶层；g)以所述半导体衬底上残留的牺牲层和底部抗反射涂层为掩膜，执行一LDD注入过程；h)去除所述半导体衬底上残留的牺牲层和底部抗反射涂层。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，包括: a)提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构； b)在所述半导体衬底上形成一牺牲层，以覆盖所述栅极结构； c)回蚀刻所述牺牲层； d)在所述半导体衬底上依次形成一底部抗反射涂层和一具有用于形成实施LDD注入的工艺窗口的图形的光刻胶层； e)将所述图形转移到所述底部抗反射涂层和所述牺牲层中； f)去除所述具有所述图形的光刻胶层； g)以所述半导体衬底上残留的牺牲层和底部抗反射涂层为掩膜，执行一LDD注入过程; h)去除所述半导体衬底上残留的牺牲层和底部抗反射涂层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用旋涂工艺实施步骤b)。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述旋涂工艺可以一次完成，也可以分多次实施。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为有机材料。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述有机材料包括ODL或聚酰亚胺。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤c)直至所述栅极结构顶部的牺牲层的厚度为5-10纳米为止。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述底部抗反射涂层为富含硅的底部抗反射涂层，其中，硅的...

【专利技术属性】
技术研发人员：王新鹏，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：