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本发明提供了一种横向扩散场效应晶体管结构和制作方法,利用N阱版图和与N阱版图部分重叠的P阱版图制作具有重叠区域的漂移区和阱区，且该重叠区域位于栅极下方，形成一个离子注入浓度梯度缓慢变化，同时耗尽区宽度较宽的PN结，减小了现有技术中漂移区与阱...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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