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本发明提供一种功率晶体管及其制作方法，先在漏区与漂移区上制作栅区结构、沟道区及源区，然后对所述外延层进行刻蚀形成深沟槽并对所述深沟槽进行P型离子斜注入形成P型掺杂层，然后对所述深沟槽填充P型外延或绝缘材料形成P型柱体，最后制作隔离层及电极结...
该专利属于无锡维赛半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡维赛半导体有限公司授权不得商用。

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