【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种薄膜晶体管的沟道形成方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：?提供基板，在所述基板上形成非晶硅层；?对所述非晶硅层进行刻蚀处理，以形成包括多个非晶硅层的非晶硅图形，其中所述多晶硅图形中的每一非晶硅层均为弯折结构；?在每一非晶硅层形成两断开空间，所述两断开空间分别形成于所述非晶硅层的相邻的弯折部位；?对已形成断开空间的非晶硅图形进行激光照射处理，以使得位于每一断开空间两侧的非晶硅层内的晶粒在温度差的作用下朝着对应的断开空间方向生长，并在所述断开空间内结晶形成薄膜晶体管的沟道。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：许宗义，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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