温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明是一种E/D集成的GaN?HEMT器件制备方法。其工艺步骤包括在衬底上依次生长成核层、AlyGa1-yN缓冲层、GaN沟道层、AlxGa1-xN势垒层，构成常规AlGaN/GaN异质结构，然后再生长标定层，构成E/D兼容的GaN异质结...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十五研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。