【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种PMOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成碳化硅层；在所述碳化硅层表面形成应变硅层；在所述应变硅层表面形成栅极结构；在所述栅极结构两侧的碳化硅层内形成锗硅源/漏区。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：赵猛，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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