【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底的材料为硅，在所述半导体衬底表面形成半导体层，在所述半导体层表面形成硬掩膜层；刻蚀所述硬掩膜层、半导体层和半导体衬底形成若干沟槽；在形成所述沟槽后，去除所述硬掩膜层；在去除硬掩膜层后，对所述半导体衬底和半导体层进行热氧化，使相邻沟槽之间的半导体衬底被完全氧化，在所述沟槽内表面和半导体层顶部形成氧化层；在热氧化后，去除所述氧化层，形成悬空于所述半导体衬底的纳米线。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘佳磊，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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