【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种PMOS晶体管的制造方法，包括：提供单晶硅衬底；在所述单晶硅衬底上形成栅极结构，并在所述栅极结构两侧形成隔离侧墙；以所述栅极结构及隔离侧墙为屏蔽对所述单晶硅衬底进行刻蚀，以在所述栅极结构两侧的单晶硅衬底上形成沟槽；通过外延生长在所述矩形沟槽内填充形成第一硅锗层；在所述隔离侧墙两侧形成主侧墙，并以所述主侧墙作为屏蔽，对所述第一硅锗层进行刻蚀，以形成∑型凹槽；在所述∑型凹槽内外延生成第二硅锗层，所述第二硅锗层中的锗原子浓度高于所述第一硅锗层中锗原子浓度；形成源/漏区。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：隋运奇，焦明洁，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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