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本发明提供了一种PMOS晶体管制造方法及PMOS晶体管，以PMOS原有栅极结构及隔离侧墙作为屏蔽形成用于缓冲的第一硅锗层，再利用栅极结构、隔离侧墙以及主侧墙作为屏蔽形成作为应力源的第二硅锗层，在不增加额外工艺手段的前提下，最大化硅锗应力源的...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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