半导体结构及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体结构的制造方法，包括：提供第一半导体材料的单晶衬底(100)；在衬底(100)表面外延生长第二半导体材料的单晶外延层(110)；形成贯穿外延层进入衬底中一定深度的填充有沟槽绝缘物质的浅沟槽隔离结构(210)；图形化所述浅沟槽隔离结构(210)中的沟槽绝缘物质以及所述外延层(110)形成伪栅极；在伪栅极周围形成侧墙(310)，所述侧墙(310)的材料不同于所述沟槽绝缘物质以及所述第二半导体材料；形成覆盖整个半导体结构的层间介质层(400)；除去所述层间介质层(400)的一部分以暴露所述伪栅；去除所述伪栅极，形成栅极凹陷(500)；在所述栅极凹陷(500)中形成栅介质层(600)以及栅电极层(610)。本发明专利技术利于降低栅极两侧表面的粗糙度。本发明专利技术还提供了根据上述方法制造的半导体结构。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体结构的制造方法，该方法包括以下步骤：a)提供第一半导体材料的单晶衬底(100)；b)在衬底(100)表面外延生长第二半导体材料的单晶外延层(110)；c)形成贯穿外延层进入衬底中一定深度的填充有沟槽绝缘物质的浅沟槽隔离结构(210)；d)图形化所述浅沟槽隔离结构(210)中的沟槽绝缘物质以及所述外延层(110)形成伪栅极；e)在伪栅极周围形成侧墙(310)，所述侧墙(310)的材料不同于所述沟槽绝缘物质以及所述第二半导体材料；f)形成覆盖整个半导体结构的层间介质层(400)；g)除去所述层间介质层(400)的一部分以暴露所述伪栅；h)去除所述伪栅极，形成栅极凹陷(500)；i)在所述...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：何卫，朱慧珑，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：