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本发明提供了一种半导体结构的制造方法，包括：提供第一半导体材料的单晶衬底(100)；在衬底(100)表面外延生长第二半导体材料的单晶外延层(110)；形成贯穿外延层进入衬底中一定深度的填充有沟槽绝缘物质的浅沟槽隔离结构(210)；图形化所述...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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