【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管的制造方法，其特征在于，包括：对氮化硅层、垫氧层以及形成有第一高掺杂区、第一掺杂体区的外延层进行光刻及刻蚀处理，刻穿所述第一高掺杂区，露出所述第一掺杂体区，并在刻蚀区域底部形成第二掺杂区；在所述第二掺杂区上方的侧壁上形成介质层；对所述第二掺杂区进行刻蚀处理，刻穿所述第一掺杂体区，露出所述外延层，并在刻蚀区域的底部和侧壁形成第一氧化层，在内部填充多晶硅层；在所述多晶硅层顶部形成第二氧化层；去除所述氮化硅层、垫氧层及介质层，在所述第一高掺杂区、第二掺杂区和第二氧化层上形成第一金属层，并对所述第一金属层进行光刻、刻蚀处理。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：马万里，
申请(专利权)人：北大方正集团有限公司，深圳方正微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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