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本发明实施例提供一种垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法，涉及半导体芯片制造领域，提高了器件元胞密度，降低了制造成本。该制造方法包括：对氮化硅层、垫氧层以及形成有第一高掺杂区、第一掺杂体区的外延层进行光刻及刻蚀处理，刻穿所述第一高掺...该专利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司授权不得商用。