【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种薄膜晶体管制备方法，所述方法包括形成所述薄膜晶体管的源漏电极图形、掺杂半导体层图形和半导体层图形的步骤；其特征在于，所述形成所述薄膜晶体管的源漏电极图形、掺杂半导体层图形和半导体层图形的步骤包括：依次形成半导体层薄膜、掺杂半导体层薄膜、源漏电极薄膜，以及第一图案化的光刻胶层；所述第一图案化的光刻胶层覆盖所述薄膜晶体管的源漏电极图形区域和沟道区域；进行第一次刻蚀，去掉未被所述第一图案化的光刻胶层覆盖的区域上的源漏电极薄膜；进行第二次刻蚀，去掉未被所述第一图案化的光刻胶层覆盖的区域上的掺杂半导体层薄膜和半导体层薄膜，所述半导体层图形形成；对所述光刻胶层进行灰化处理，去掉所述...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：魏小丹，杨晓峰，张同局，倪水滨，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。