MOS晶体管的制造方法技术

本发明专利技术提供一种MOS晶体管的制造方法，首先通过第一次激光脉冲退火和/或激光闪光退火激活源/漏极区的掺杂离子并控制掺杂离子的扩散，提高载流子迁移率；然后再在半导体衬底和栅极结构表面上沉积应力盖层作为临时应力源，并通过第二次激光脉冲退火和/或激光闪光退火将应力盖层的机械应力转移到栅极结构中，以获得高应力性能的器件沟道区；进一步地在移除应力盖层的器件表面形成接触孔刻蚀停止层，提高载流子迁移率。因此，本发明专利技术的MOS晶体管的制造方法制得的器件具有更高的驱动电流，适用于NMOS和PMOS晶体管的制造。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种MOS晶体管的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成栅极结构；在所述栅极结构的两侧形成侧墙；在所述半导体衬底中进行源/漏极区掺杂离子注入；在所述半导体衬底和栅极结构表面沉积阻挡层，并进行第一次激光脉冲退火和/或激光闪光退火；移除所述阻挡层，在所述半导体衬底和栅极结构表面沉积应力盖层，并进行第二次激光脉冲退火和/或激光闪光退火；移除所述应力盖层，在所述栅极结构顶部和暴露出的半导体衬底上表面形成自对准金属硅化物。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵猛，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：