【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体器件结构的制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域；在所述半导体衬底上依次覆盖第一层间介质层和第一高介电常数介质层；刻蚀去除第一区域上的第一高介电常数介质层和第一层间介质层；在所述第一区域上形成第二层间介质层；在所述半导体衬底上覆盖第二高介电常数介质层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李凤莲，倪景华，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。