MOS晶体管的制造方法技术

本发明专利技术提供一种MOS晶体管的制造方法，首先通过在NMOS器件的半导体衬底和栅极结构表面上沉积张应力盖层或在PMOS器件的半导体衬底和栅极结构表面上沉积压应力盖层，获得高应力性能的器件沟道区，提高载流子迁移率；然后再通过激光脉冲退火和/或激光闪光退火，增强源/漏区掺杂离子的激活，进一步提高载流子迁移率。因此，本发明专利技术的MOS晶体管的制造方法制得的器件具有更高的驱动电流，适用于NMOS和PMOS晶体管的制造。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种MOS晶体管的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成栅极结构；在所述栅极结构的两侧形成侧墙；在所述半导体衬底中进行源/漏极区掺杂离子注入；在所述半导体衬底和栅极结构表面沉积应力盖层并进行激光脉冲退火和/或激光闪光退火；移除所述应力盖层，在所述栅极结构顶部和暴露出半导体衬底的上表面形成自对准金属硅化物。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵猛，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：