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本发明提供一种MOS晶体管的制造方法，首先通过在NMOS器件的半导体衬底和栅极结构表面上沉积张应力盖层或在PMOS器件的半导体衬底和栅极结构表面上沉积压应力盖层，获得高应力性能的器件沟道区，提高载流子迁移率；然后再通过激光脉冲退火和/或激光...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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