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本发明提供一种MOS晶体管的制造方法，首先通过第一次激光脉冲退火和/或激光闪光退火激活源/漏极区的掺杂离子并控制掺杂离子的扩散，提高载流子迁移率；然后再在半导体衬底和栅极结构表面上沉积应力盖层作为临时应力源，并通过第二次激光脉冲退火和/或激...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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