【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种用于SRAM的P型传输栅极晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有P型栅极；在所述P型栅极一侧的所述半导体衬底中的第一区域内形成应力层，所述应力层用于提高载流子的迁移率；在所述第一区域内形成漏极且在所述P型栅极另一侧的所述半导体衬底中的第二区域内形成源极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：甘正浩，冯军宏，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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