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本发明提供一种用于SRAM的P型传输栅极晶体管及其制作方法。该制作方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有P型栅极；在所述P型栅极一侧的所述半导体衬底中的第一区域内形成应力层，所述应力层用于提高载流子的迁移率；在所述第一区域内形成漏...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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