半导体结构的形成方法、晶体管的形成方法技术

一种半导体结构的形成方法、一种晶体管的形成方法，其中，所述导体结构的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底的材料为绝缘体上半导体，所述绝缘体上半导体包括：基底、绝缘层和半导体层；在半导体衬底表面形成硬掩膜层；去除部分硬掩膜层，并以剩余的硬掩膜层为掩膜在半导体层内形成若干开口，并暴露出绝缘层表面；采用晶向各向异性湿法刻蚀所述开口侧壁，形成双层分立的纳米线；之后，去除剩余的硬掩膜层并去除纳米线与基底之间的绝缘层，使所述双层分立的纳米线悬空于基底上方；去除剩余的硬掩膜层和绝缘层后，对纳米线进行热退火处理，使纳米线的横截面变为圆形。所述导体结构的形成方法生产成本低，工艺简便，适用于大规模生产。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，且所述半导体衬底为绝缘体上半导体，所述绝缘体上半导体包括：基底、基底表面的绝缘层和绝缘层表面的半导体层；在所述半导体衬底表面形成硬掩膜层；去除部分硬掩膜层，并以剩余的硬掩膜层为掩膜，在所述半导体层内形成若干开口，并暴露出绝缘层表面；采用晶向各向异性湿法刻蚀所述开口侧壁，形成双层分立的纳米线；在晶向各向异性湿法刻蚀后，去除剩余的硬掩膜层，并去除纳米线与基底之间的绝缘层，使所述双层分立的纳米线悬空于所述基底上方；在去除剩余的硬掩膜层和绝缘层后，对所述纳米线进行热退火处理，使所述纳米线的横截面变为圆形。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：宋化龙，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：