【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体器件制造方法，包括步骤：在衬底上形成栅极堆叠结构；在栅极堆叠结构以及衬底上形成栅极保护层；执行离子注入，在栅极堆叠结构两侧的衬底中形成非晶硅区；在栅极堆叠结构以及非晶硅区上淀积金属层；执行退火，使得金属层与非晶硅区反应形成金属硅化物，作为器件的源漏区。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：罗军，邓坚，赵超，钟汇才，李俊峰，陈大鹏，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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