【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体器件制造方法，包括步骤：在衬底上形成栅极堆叠结构；执行第一离子注入，在栅极堆叠结构两侧的衬底中注入第一掺杂离子；在衬底和栅极堆叠结构上形成金属层；执行第一退火，金属层与衬底反应形成金属硅化物的源漏区；执行第二离子注入，在金属硅化物的源漏区中注入第二掺杂离子；执行第二退火，在金属硅化物的源漏区与衬底之间的界面处形成第二掺杂离子的分凝区。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：罗军，邓坚，赵超，钟汇才，李俊峰，陈大鹏，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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