【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种MOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域的半导体衬底表面形成有PMOS晶体管的第一栅极结构，所述第二区域的半导体衬底表面形成有NMOS晶体管的第二栅极结构；在第一区域的第一栅极结构两侧的半导体衬底内形成第一沟槽，在第二区域的第二栅极两侧的半导体衬底内形成第二沟槽；在第一沟槽和第二沟槽内填充满硅锗层；对第二沟槽内的硅锗层进行离子注入，释放第二沟槽内的硅锗层的应力。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：禹国宾，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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