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一种半导体结构的形成方法、一种晶体管的形成方法，其中，所述导体结构的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底的材料为绝缘体上半导体，所述绝缘体上半导体包括：基底、绝缘层和半导体层；在半导体衬底表面形成硬掩膜层；去除部分硬掩膜层，并以剩余...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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