【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种LDMOS晶体管，其结构是在P外延上部形成有一P阱及一N阱，所述P阱上部形成有一N+区作为源极，并形成有一P+区作为P阱接地极，所述N阱上部形成有一N+区作为漏极，其特征在于，所述作为源极的N+区与作为P阱接地极的P+区相邻接；所述作为源极的N+区及作为P阱接地极的P+区的下方的P阱中形成有一低阻P+区，所述低阻P+区同所述作为P阱接地极的P+区相连接，所述作为P阱接地极的P+区及所述低阻P+区的P掺杂浓度比所述P阱的P掺杂浓度高。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：杨文清，邢军军，赵施华，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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