【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体结构形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内具有凹槽；在所述凹槽表面形成硅锗层；其特征在于，还包括：在所述硅锗层表面形成硅锗锡层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：涂火金，三重野文健，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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