半导体器件和该器件的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件和该器件的制造方法。该半导体器件包括N型场效应晶体管，该N型场效应晶体管包括衬底中的N沟道区。高介电常数（高k）层设置在N沟道区上。包括金属氧化物的扩散层设置在该高k层上。钝化层设置在该扩散层上，第一金属栅极设置在该钝化层上。该高k层和N沟道区包括金属氧化物的金属元素的金属原子。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件和该器件的制造方法
本专利技术构思涉及半导体器件和该器件的制造方法。
技术介绍
采用多晶硅栅电极的金属氧化物半导体（MOS）晶体管广为人知。多晶硅栅电极可以在高温下与源区和漏区一起退火。在形成源区和漏区时，多晶硅栅电极也可以用作离子注入掩模。随着晶体管缩小，多晶硅栅电极的电阻增大，这妨碍了晶体管进行高速操作。近来，高介电常数的栅极氧化物和金属栅极的集成结构已被提出。新材料的引入会导致其它问题，诸如金属栅极与高温工艺的不兼容性和集成结构的功函数控制。因此，对于集成高介电常数栅极氧化物与金属栅极的改进工艺存在需求。
技术实现思路
根据本专利技术构思的示例性实施例，一种半导体器件包括N型场效应晶体管，该N型场效应晶体管包括设置在衬底上的第一高介电常数（高k）层。包括金属氧化物的扩散层设置在第一高k层上。钝化层设置在扩散层上，第一金属栅极设置在钝化层上。根据本专利技术构思的示例性实施例，一种静态随机存取存储器（SRAM）装置包括：N型场效应晶体管和P型场效应晶体管。N型场效应晶体管包括设置在衬底上的高介电常数（高k）层。包括金属氧化物的扩散层设置在高k层上。钝化层设置在该扩散层上，第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括N型场效应晶体管，该N型场效应晶体管包括：第一高介电常数层，设置在衬底上；包括金属氧化物的扩散层，设置在该第一高介电常数层上；钝化层，设置在该扩散层上；以及第一金属栅极，设置在该钝化层上。

【技术特征摘要】
2012.05.14 KR 10-2012-00510361.一种半导体器件，包括N型场效应晶体管，该N型场效应晶体管包括：第一高介电常数层，设置在衬底上；包括金属氧化物的扩散层，设置在该第一高介电常数层上；钝化层，设置在该扩散层上；以及第一金属栅极，设置在该钝化层上，其中所述半导体器件还包括P型场效应晶体管，该P型场效应晶体管包括设置在该衬底上的第二高介电常数层，其中该P型场效应晶体管还包括：扩散阻挡层，形成在该第二高介电常数层上；该扩散层，设置在该扩散阻挡层上；该钝化层，设置在该扩散层上；以及第二金属栅极，设置在该钝化层上，其中该扩散阻挡层防止该扩散层的金属原子扩散到该第二高介电常数层和该衬底中，其中该第二高介电常数层具有U形，其下侧壁覆盖有该扩散阻挡层，其上侧壁覆盖有该扩散层。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中该金属氧化物是LaO、Y2O3、Lu2O3和SrO的至少之一。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中该钝化层包括用于防止该扩散层被氧化的金属氮化物层。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中该金属氮化物层包括TiN和TaN的至少之一。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中该扩散层具有至的厚度。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中该钝化层具有至的厚度。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中该第一金属栅极包括具有至的厚度的N型功函数层。8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中该N型场效应晶体管还包括设置在该第一高介电常数层与该衬底之间的第一界面层，其中该第一界面层具有比该第一高介电常数层的介电常数小的介电常数。9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中该第一高介电常数层包括与该第二高介电常数层相同的高介电常数材料。10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中该扩散阻挡层包括金属氮化物层和金属层。11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中该金属氮化物层包括TiN，该金属层包括Al。12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中该P型场效应晶体管还包括设置在该第二金属栅极与该钝化层之间的钴层。13.根据权利要求1所述的半导体器件，其中该N型场效应晶体管配置为鳍型晶体管。14.一种静态随机存取存储器装置，包括：N型场效应晶体管，包括：第一高介电常数层，设置在衬底上，包括金属氧化物的第一扩散层，设置在该第一高介电常数层上，第一钝化层，设置在该第一扩散层上，以及第一金属栅极，设置在该第一钝化层上；以及P型场效应晶体管，包括：第二高介电常数层，设置在该衬底上，其中该P型场效应晶体管还包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：金柱然，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：