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本发明公开了一种半导体器件和该器件的制造方法。该半导体器件包括N型场效应晶体管，该N型场效应晶体管包括衬底中的N沟道区。高介电常数（高k）层设置在N沟道区上。包括金属氧化物的扩散层设置在该高k层上。钝化层设置在该扩散层上，第一金属栅极设置在...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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