【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体器件，所述半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括第一导电类型的第一区和第二导电类型的本体区，所述第一导电类型不同于所述第二导电类型，所述本体区设置在所述半导体衬底的第一表面的一侧上；多个沟槽，所述多个沟槽布置在所述衬底的所述第一表面中，所述沟槽在具有垂直于所述第一表面的分量的第一方向上延伸；所述第二导电类型的掺杂部，所述掺杂部邻近所述沟槽的侧壁的下部，所述掺杂部通过接触区电耦接至所述本体区；以及栅电极，所述栅电极设置在所述沟槽的上部中。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：罗尔夫·韦斯，
申请(专利权)人：英飞凌科技奥地利有限公司，
类型：发明
国别省市：
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