【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体器件，包括：衬底，具有源极区域、沟道区域和漏极区域；第一栅极结构，设置在所述衬底的第一表面上，所述第一栅极结构包括导电层和第一介电层；以及第二栅极结构，设置在所述衬底的第二表面上，所述第二栅极结构包括第二介电层，其中，所述源极区域、所述沟道区域和所述漏极区域从所述第一表面延伸到所述第二表面。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘怡劭，拉希德·巴希尔，赖飞龙，郑钧文，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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