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本发明公开了一种LDMOS晶体管，其结构是在P外延上部形成有一P阱及一N阱，所述P阱上部形成有一N+区作为源极，并形成有一P+区作为P阱接地极，所述N阱上部形成有一N+区作为漏极；所述作为源极的N+区与作为P阱接地极的P+区相邻接；所述作为...
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