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一种MOS晶体管及形成方法，所述MOS晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成栅极结构；在所述栅极结构两侧的半导体衬底内进行第一离子注入形成轻掺杂区；在靠近栅极结构的轻掺杂区外侧区域进行第二离子注入形成第一口袋区；在所...
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