一种常开型氮化镓场效应晶体管的制造方法技术

一种常开型氮化镓场效应晶体管的制造方法，包括：提供衬底材料，所述衬底材料表面外延生长氮化镓层，所述氮化镓层表面生长铝镓氮层；通过等离子体刻蚀，形成工作区域；等离子体刻蚀并沉积源极和漏极金属；通过等离子体刻蚀金属并高温退火形成源极和漏极结构；沉积栅极金属并等离子体刻蚀部分所沉积的金属，形成栅极结构；本发明专利技术所提供的方法，可以与现有硅器件生产工艺（Si-CMOS）完全兼容，并且避免了剥离过程所带来的污染问题，并提高产品良率。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种常开型氮化镓场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底表面外延生长过渡层；在所述过渡层表面外延生长氮化镓层，在所述氮化镓层表面外延生长铝镓氮层；?依次刻蚀所述铝镓氮层和氮化镓层，形成工作区域；在所述工作区域的边缘刻蚀部分厚度的工作区域，形成具有阶梯形状的侧壁；形成覆盖所述工作区域的多层金属薄膜结构，所述多层金属薄膜结构自下而上依次为钛层、铝层、钨层;采用等离子体刻蚀工艺刻蚀所述多层金属薄膜结构，并在高温下退火，在所述侧壁表面形成源极和漏极；?形成所述源极和漏极之后，在所述工作区域表面形成第二多层金属薄膜结构，并刻蚀所述第二多层金属薄膜结构，形成栅极结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘朋，王振中，李超，
申请(专利权)人：无锡派腾微纳米科技有限公司，
类型：发明
国别省市：