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本发明提供了一种半导体结构的制造方法，该方法包括：提供衬底，在所述衬底上形成栅极堆叠，在所述栅极堆叠的侧壁形成侧墙；在所述栅极堆叠两侧的衬底上形成凹槽，各向异性腐蚀所述栅极堆叠两侧的凹槽，使其穿通，形成空腔；形成源/漏区。相应地，本发明还提...该专利属于中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司授权不得商用。