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一种氮化镓功率场效应晶体管的结构，包括衬底、缓冲层、外延在缓冲层上的氮化镓(GaN)沟道层，外延在GaN上的铝镓氮（AlGaN）层、源极、漏极、栅极，以及栅极与AlGaN之间的多晶硅层和绝缘层。当栅极电压为负时，栅极金属层的电子隧穿到多晶硅...
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