【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种半导体元件，其能够减小接合电容并且使半导体层的侧面稳定化。半导体元件(10)具有由高浓度N型半导体层形成的集电极接触层(16)。在集电极接触层(16)上层叠有N型的集电极层(15)、层叠在集电极层(15)上并具有上表面(14a)的高浓度P型半导体层即基极层(14)、层叠在上表面(14a)的一部分上的N型的发射极层(11)。在基极层(14)与集电极层(15)的接合面形成有基极集电极层接合部(18)。惰性部(19)在俯视观察时设置在上表面(14a)上的与基极电极(13)的外侧端部相比的外侧。惰性部(19)通过从由氦以及氩构成的群中选择出的1种元素对第1、2半导体层进行离子注入而形成。惰性部(19)从上表面(14a)延伸至与基极集电极层接合部(18)相比的下方。【专利说明】半导体元件
本专利技术涉及一种半导体元件。
技术介绍
在现有的高频功率放大器中使用的异质接合型双极晶体管(下面称为HBT)，通常以如图5所示的方式构成。图5是表示用于说明本专利技术的课题的具有典型的HBT结构的半导体元件的图。图5所示的HBT具有由...
【技术保护点】
一种半导体元件，其特征在于，具有：第1半导体层，其具有第1侧面，并具有第1导电类型；第2半导体层，其层叠在所述第1半导体层上，具有上表面和第2侧面，并具有与所述第1导电类型相反的第2导电类型；第3半导体层，其层叠在所述上表面的一部分上，具有所述第1导电类型；第1电极，其与所述第1半导体层电气连接；第2电极，其以将所述第3半导体层包围的方式，设置在所述上表面的其它一部分上；以及第3电极，其设置在所述第3半导体层上，在俯视观察时，在所述上表面的与所述第2电极的外侧端部相比的外侧，通过从由氦以及氩构成的群中选择出的1种元素对所述第1、2半导体层进行离子注入，从而设置从所述上表面延...
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：高原良雄，三浦猛，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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