LDMOS器件及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种LDMOS器件，其漂移区由第一漂移区和第二漂移区组成，第一漂移区由形成于硅衬底的选定区域中的离子注入区组成；第二漂移区由形成于硅衬底表面上的掺杂多晶硅组成，第二漂移区叠加在第一漂移区上，漏区形成在第二漂移区中。本发明专利技术的第二漂移区的设置能够使得整个漂移区的厚度增加，从而能降低整个漂移区的寄生电阻越小，并能有效增加器件的线性电流、降低器件的导通电阻；本发明专利技术器件还能保持较高的击穿电压且工艺成本低。本发明专利技术还公开了一种LDMOS器件的制造方法。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种LDMOS器件，其漂移区由第一漂移区和第二漂移区组成，第一漂移区由形成于硅衬底的选定区域中的离子注入区组成；第二漂移区由形成于硅衬底表面上的掺杂多晶硅组成，第二漂移区叠加在第一漂移区上，漏区形成在第二漂移区中。本专利技术的第二漂移区的设置能够使得整个漂移区的厚度增加，从而能降低整个漂移区的寄生电阻越小，并能有效增加器件的线性电流、降低器件的导通电阻；本专利技术器件还能保持较高的击穿电压且工艺成本低。本专利技术还公开了一种LDMOS器件的制造方法。【专利说明】LDMOS器件及其制造方法
本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种横向场效应晶体管(LDM0S器件；本专利技术还涉及一种LDMOS器件的制造方法。
技术介绍
横向场效应晶体管(LDMOS)是普遍使用的半导体高压器件，其广泛应用于电源管理、IXD及LED驱动、ESD保护等领域。应用方式通常有模拟应用和开关应用两种。当LDMOS用作开关时，需要器件有很低的导通电阻(线性区的器件源漏电阻)，以降低开关功耗。LDMOS中，沟道长度远小于漂移区长度，器件的导通电阻由漂移区本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LDMOS器件，其特征在于，包括：第一导电类型掺杂的硅衬底；第一漂移区，由形成于所述硅衬底的选定区域中的第二导电类型离子注入区组成；沟道区，由形成于所述硅衬底的选定区域中的第一导电类型阱区组成，所述第一漂移区的第一侧和所述沟道区在横向上相接触；多晶硅栅，形成于所述沟道区上方，所述多晶硅栅和所述硅衬底间隔离有栅介质层，所述多晶硅栅覆盖部分所述沟道区并延伸到所述第一漂移区上方，被所述多晶硅栅覆盖的所述沟道区表面用于形成沟道；源区，由形成于所述沟道区中的第二导电类型重掺杂区组成，所述源区和所述多晶硅栅的第一侧自对准；第二漂移区，由形成于所述硅衬底表面上的第二导电类型掺杂的多晶硅组成，所述第二漂移...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：钱文生，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31