温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种LDMOS器件，其漂移区由第一漂移区和第二漂移区组成，第一漂移区由形成于硅衬底的选定区域中的离子注入区组成；第二漂移区由形成于硅衬底表面上的掺杂多晶硅组成，第二漂移区叠加在第一漂移区上，漏区形成在第二漂移区中。本发明的第二漂...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。