半导体元件制造技术

根据实施方式，半导体元件具备：半绝缘性基板，在表面选择性地设有第1第一导电型层；第1半导体层，设置在上述半绝缘性基板以及上述第1第一导电型层之上，包含无掺杂AlXGa1-XN(0≤X＜1)；以及第2半导体层，设置在上述第1半导体层上，包含无掺杂或第二导电型的AlYGa1-YN(0＜Y≤1，X＜Y)。该半导体元件具备：第1主电极，与上述第2半导体层连接；第2主电极，与上述第2半导体层连接；以及控制电极，设置在上述第1主电极与上述第2主电极之间的上述第2半导体层之上。上述第1第一导电型层设置在上述控制电极之下。

【技术实现步骤摘要】

本实施方式涉及半导体元件。
技术介绍
作为开关电源、变换器等的电路的元件，使用了宽禁带半导体的元件受到注目。其中，作为容易成为低导通电阻的元件，例如存在具有氮化铝镓(AlGaN)/氮化镓(GaN)异质结构的异质结场效应晶体管(HFET)。在HFET中，通过异质界面沟道的高移动度、通过压电极化而产生的高电子浓度，实现低导通电阻化。但是，若向HFET的栅极 漏极间施加高电压，则在栅极电极端部引起电场集中。通过该电场集中而被加速的电子跃入钝化膜或AlGaN层。结果，电子被捕集到钝化膜或AlGaN层。被捕集的电子即使HFET处于导通状态、栅极 漏极间的施加电压下降也不易被释放。通过电子的捕集，异质界面沟道被部分性地耗尽。结果，在HFET中，导通电阻有可能增加。这样的现象被称作电流崩塌现象。抑制电流崩塌现象，可有效地实现低导通电阻化。此外，若电子跃入钝化膜或AlGaN层，则钝化膜或AlGaN层中产生缺陷。由此，引起HFET特性变动的可靠性恶化。作为缓和栅极电极端部的电场的手段而具有场板(FP)结构。例如，使用导电性基板作为支承基板，通过将导电性基板与源极电极连接而形成基板FP电极。但是，在采本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：斋藤涉，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：