一种在α-Fe2O3纳米晶表面异质生长纳米SnO2的方法技术

本发明专利技术提供一种在α-Fe2O3纳米晶表面异质生长纳米SnO2的方法。将预先获得的α-Fe2O3纳米晶体分散在Sn(OH)62-的乙醇溶液中，通过溶剂热反应在α-Fe2O3纳米晶上异质生长纳米SnO2，形成半导体异质结。本发明专利技术的制备方法过程简便、原料廉价、产率高，适用于目前文献报导的各种形貌和暴露面的α-Fe2O3纳米晶，且不受纳米晶表面残留的表面活性剂的影响。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及化学合成领域。
技术介绍
a -Fe2O3和SnO2是两种应用广泛的半导体材料，其中a -Fe2O3带隙为2. 2eV,是ー种窄带隙半导体材料；而SnO2的带隙宽达3. 8eV,是ー种宽带隙半导体材料。这两种材料的纳米晶在光催化、气敏、太阳能电池等应用领域都分别具有各自的优越性。近年来有文献报道，将这两种材料的纳米晶异质复合形成SnO2/ a -Fe2O3纳米异质结，其光电性能将优于单相纳米晶。例如，2008年在英国皇家物理学会的杂志《纳米技木》(Nanotechnology, 19 (2008) 205603)上曾有ー篇文章报导合成出了 SnO2/a-Fe2O3 纳米异质结，该异质结粉体对于こ醇具有很强的选择性气敏效果；而2011年在英国皇家化学会的杂志《晶体工程设计》(Crystengcomm, 13(2011)4486)上也有ー篇文献报导合成出了 SnO2/a -Fe2O3纳米结，该纳米材料在可见光照下能有效降解水溶液中的有机物污染物。此外，在美国化学学会的杂志《晶体生长设计》(Crystal Growth&Design)以及《纳米》(ACS Nano)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在α?Fe2O3纳米晶表面异质生长纳米SnO2的方法，其特征为：将摩尔比例为1∶6～60的SnCl4和NaOH在乙醇中混合，形成Sn(OH)62?乙醇溶液；将预先获得的α?Fe2O3纳米晶体分散在Sn(OH)62?溶液中，α?Fe2O3纳米晶与Sn(OH)62?的摩尔比为1∶1～50；将所得的混合液进行溶剂热反应，温度为180～240℃，反应时间为2小时以上。

【技术特征摘要】
1.一种在O-Fe2O3纳米晶表面异质生长纳米SnO2的方法，其特征为将摩尔比例为I 6 60的SnCl4和NaOH在乙醇中混合，形成Sn (OH) 62_乙醇溶液；将预先获得的Q-Fe2O3...

【专利技术属性】
技术研发人员：王元生，牛牧童，黄烽，
申请(专利权)人：中国科学院福建物质结构研究所，
类型：发明
国别省市：