一种氧化石墨烯/AgInS2纳米杂化材料及其制备方法技术

本发明专利技术属于纳米杂化材料技术领域，特别涉及一种氧化石墨烯/AgInS2纳米杂化材料及其制备方法，该氧化石墨烯表面修饰有AgInS2纳米粒子，所述氧化石墨烯/AgInS2纳米杂化材料的制备方法为，将氧化石墨烯均匀分散在油酸中，再分别加入十八烯和油胺进行混合；将氧化石墨烯混合液缓慢加入In(DEDC)3和Ag(DEDC)的油酸混合液中；搅拌后移至反应釜中反应，冷却后加入无水乙醇进行沉淀，将沉淀物离心洗涤、干燥即可。所述氧化石墨烯/AgInS2纳米杂化材料的稳定性好，对NO2-的检测限低，可应用于香肠，卤制品等食品的检测，该制备方法具有操作简单、原料来源广、制造成本低、无毒等特点，适合工业化生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于纳米杂化材料
,特别涉及一种氧化石墨烯/AgInS2纳米杂化材料及其制备方法。
技术介绍
半导体纳米晶尺寸在1-100纳米之间，当纳米晶的尺寸与材料的波尔激子半径相当时，纳米晶表现出明显的量子限域效应，所以半导体纳米晶可表现出很多不同于本体材料的光学性质，在太阳电池、发光二极管、光电探测器、生物标记、非线性光学和电化学传感器等领域得到了应用。目前研究最多的纳米晶主要限于I1-VKII1- V、IV-VI族的含铅和镉材料。这类材料解离后，产生的重金属离子的毒性大大限制了半导体纳米晶的进一步发展。为此，近年来为追求低毒性的纳米晶，人们将研究目光投向了低毒的1-1I1-VI族半导体纳米材料。1-1I1- VI族半导体是一类由I族(Cu、Ag等)、111族(如Ga、In等)、VI族(如S、Se、Te等)元素组成的材料。但由于1-1I1- VI族纳米材料的研究起步不久，需要解决的重要的科学和技术问题有很多。如怎样进一步提高基于这类材料的荧光性能，尤其是水溶性、小粒径、高荧光量子产率。另外科研工作者已经不满足于单种材料的研究，将两种材料杂化，从而得到新型材料的特异性质或得到本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氧化石墨烯/AgInS2纳米杂化材料，其特征在于：所述氧化石墨烯表面修饰有AgInS2纳米粒子。

【技术特征摘要】
1.ー种氧化石墨烯/AgInS2纳米杂化材料,其特征在于所述氧化石墨烯表面修饰有AgInS2纳米粒子。2.根据权利要求1所述的氧化石墨烯/AgInS2纳米杂化材料,其特征在于所述氧化石墨烯片层水合半径为450-500nm，厚度为2-3层，该AgInS2纳米粒子的粒径为10_30nm。3.—种如权利要求1或2所述的氧化石墨烯/AgInS2纳米杂化材料的制备方法,其步骤包括将氧化石墨烯均匀分散在油酸中，再分别加入十八烯和油胺进行混合；将氧化石墨烯混合液缓慢加入到铟前驱体In (DEDC)3和银前驱体Ag (DEDC)的油酸混合液中；充分搅拌后移至反应釜中反应，冷却后加入无水こ醇沉淀产物，将沉淀离心洗涤、干燥后制得样品。4.根据权利要求3所述的氧化石墨烯/AgInS2纳米杂化材料的制备方法,其特征在于将氧化石墨烯分散在油酸中后超声处理0. 5-1小吋，然后加入十八烯后再进行超声处理10-20分钟，最后加入油胺混合。5.根据权利要求4所述的氧化石墨烯/AgInS2纳米杂化材料的制备方法，其特征在于所述的银前驱体In(DEDC)3和铟前驱体Ag(DEDC)与氧化石墨烯与的质量...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴惠霞，刘丹丹，杨艳，汤才志，贾晓庆，杨仕平，
申请(专利权)人：上海师范大学，
类型：发明
国别省市：