一种均匀片状CuInS2纳米晶体的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种均匀片状CuInS2纳米晶体的制备方法，该方法包括如下步骤：(1)将CuCl2·2H2O、InCl3·4H2O和CH4N2S依次加入有机溶剂中混合，搅拌使之充分溶解，再加入弱还原剂混匀；其中，所述的弱还原剂为草酸、柠檬酸或抗坏血酸；(2)将步骤(1)得到的混合物转入压力釜中密封，恒温反应12小时，反应结束后自然冷却至室温；(3)将步骤(2)反应后的产物离心、洗涤、干燥后即得。本发明专利技术通过采用二元混合溶剂代替了传统单一有机溶剂，并且通过在混合后的反应体系中加入弱还原剂，改善了产物的团聚现象，获得了均匀纳米片状结构、固体相对收率高、光吸收性能较佳、禁带宽度适宜的纳米光伏材料。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种均匀片状CuInS2纳米晶体的制备方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：(1)将CuCl2·2H2O、InCl3·4H2O和CH4N2S依次加入有机溶剂中混合，搅拌使之充分溶解，再加入弱还原剂混匀；其中，所述的弱还原剂为草酸、柠檬酸或抗坏血酸；(2)将步骤(1)得到的混合物转入压力釜中密封，恒温反应12小时，反应结束后自然冷却至室温；(3)将步骤(2)反应后的产物离心、洗涤、干燥后即得。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：高延敏，赵琴，冯清，
申请(专利权)人：江苏科技大学，
类型：发明
国别省市：