一种羟基氧化镓纳米晶体的制备方法技术

本发明专利技术的一种羟基氧化镓纳米晶体的制备方法属于羟基氧化物纳米材料制备的技术领域。采用反应釜密封加热醇解的方法以及液-液界面反应的原理，通过向放置在超声仪中的氯化镓的苯溶液中逐滴滴入甲醇，再将混合后的溶液密封低温加热反应，所制备的样品为白色粉体。在优选的条件下制备出表面光滑、形貌完整、尺寸均一的纳米刷形貌的晶体。本发明专利技术首次采用醇解反应的方法进行羟基氧化镓纳米晶体的合成，克服了氯化镓极易吸水潮解的缺点，无需调节pH值、无需真空环境即可操作完成；明显抑制氯化镓的反应速度，使生成的羟基氧化镓形貌更易控制。并且本发明专利技术方法制得的产物产量大、纯度高；制备方法简单、重复性好、成本低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于IIIA族羟基氧化物纳米材料的制备领域，特别提供了一种新颖、简单、高效的制备羟基氧化镓(GaOOH)纳米晶体的方法。
技术介绍
由于其具有小尺寸效应、表面效应、量子尺寸效应以及宏观量子隧道效应等诸多独特的性质，使得纳米材料在光、电、磁、敏感等诸多方面呈现出一般材料所不具备的特性。因此，近年来纳米材料得到了越来越多的关注与应用。如在光学材料、电子材料、磁性材料、高致密度材料的烧结、催化、传感、陶瓷增韧等方面都已得到了广泛的应用。近年来，IIIA族中镓金属的化合物半导体材料在电子、光电子学和电化学等领域已经得到广泛的应用。作为一种重要的半导体材料，氧化镓(Ga2O3)禁带宽度Eg=4.9eV，其导电性能和发光特性长期以来一直引起人们的注意。目前，氧化镓已经被广泛地用作气敏传感器(Appl. Surf. Sci.，175，721-5 (2001))，紫外光电器件的电极材料以及紫外探测材料(Mater. Lett. 57，2292-2297(2003).)和催化剂(J Lumin, 87-89，1183-5(2000). ；J. Catal., 203 :,87-93 (20本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种羟基氧化镓纳米晶体的制备方法，以氯化镓、苯和甲醇为原料，首先配制氯化镓的苯饱和溶液，再加入氯化镓苯饱和溶液体积8倍的苯进行稀释，得到稀释液；在超声条件下向稀释液中滴加甲醇，甲醇的用量为氯化镓苯饱和溶液体积的16~17倍；滴加完毕停止超声，再密封加热反应，反应温度为160~200℃，反应时间为12~48h；反应后的液体降至室温，丙酮清洗，将沉淀烘干收集，得到白色粉末状的羟基氧化镓纳米晶体。

【技术特征摘要】
1.一种羟基氧化镓纳米晶体的制备方法，以氯化镓、苯和甲醇为原料，首先配制氯化镓的苯饱和溶液，再加入氯化镓苯饱和溶液体积8倍的苯进行稀释，得到稀释液；在超声条件下向稀释液中滴加甲醇，甲醇的用量为氯化镓苯饱和溶液体积的16 17倍；滴加完毕停止超声，再密封加热反应，反应温度为16(T200°C，反应时间为12 48h ;反应后的液体降至室温，丙酮清洗，将沉淀烘干收集，得到白色粉末状的羟基氧化镓纳米晶体。2.按照权利要求I所述的羟基氧化镓纳米晶体...

【专利技术属性】
技术研发人员：张剑，史立慧，吴思，崔啟良，
申请(专利权)人：吉林大学，
类型：发明
国别省市：