一种羟基氧化镓纳米晶体的制备方法技术

本发明专利技术的羟基氧化镓纳米晶体的制备方法，属羟基氧化物纳米材料制备的技术领域。采用液-液界面反应的原理，超声环境下向氯化镓的苯溶液中滴入CTAB的去离子水溶液，再将混合后的溶液放入反应釜中加热反应，制得白色粉体的样品。羟基氧化镓是用于合成氮化镓和氧化镓的原料，其微观形态特征对所制备的氮化镓和氧化镓的性能有着非常重要的影响。本发明专利技术方法所制备的羟基氧化镓纳米晶体为棱柱状，具有表面光滑、形貌完整、尺寸均一等特点。本发明专利技术的方法克服了氯化镓极易吸水潮解的缺点，摒弃了以往必须调节pH值的繁琐步骤，无需真空环境，具有操作简单，产量高，耗能少，重复性高等优点。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种羟基氧化镓纳米晶体的制备方法，取氯化镓的苯饱和溶液再用9～10倍体积的苯稀释，在超声条件下滴入浓度为3～10mmol/L的十六烷基三甲基溴化铵的去离子水溶液；当上层苯溶液呈棕色、下层水溶液呈无色透明并不再发生改变时，再加热至160～200℃反应10～18小时；反应结束降至室温，将苯溶液和水溶液一起用去离子水清洗，收集沉淀烘干，得到羟基氧化镓纳米晶体。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张剑，史立慧，吴思，
申请(专利权)人：吉林大学，
类型：发明
国别省市：