一种钴掺杂氧化镓稀磁半导体薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术属于稀磁半导体薄膜技术领域，具体是指一种钴掺杂氧化镓稀磁半导体薄膜及其制备方法。本发明专利技术是通过激光分子束外延技术在蓝宝石Al2O3衬底上多次循环沉积Ga2O3薄层和过渡金属Co薄层，利用高温层间相互扩散的方式实现过渡金属元素掺杂的[Ga2O3/(Ga1‑xCox)2O3]30/Ga2O3多层薄膜。本发明专利技术的优点是：通过调节沉积Co层的激光脉冲次数实现不同浓度Co掺杂的(Ga1‑xCox)2O3薄膜，该制备方法具有工艺可控性强，操作简单，普适性好等特点。本发明专利技术制备的[Ga2O3/(Ga1‑xCox)2O3]30/Ga2O3多层薄膜具有室温铁磁性，同时在深紫外区具有高的透过率，可以透过高能量的光子，使其在磁光传感器、磁光隔离器、磁光存储记录等领域有广阔的应用前景。

【技术实现步骤摘要】
201610231357

【技术保护点】
一种钴掺杂氧化镓稀磁半导体薄膜，其特征在于由[Ga2O3/(Ga1‑xCox)2O3]30/Ga2O3多层薄膜和Al2O3衬底组成，其中x为0.1‑0.5。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张权岳，
申请(专利权)人：张权岳，
类型：发明
国别省市：浙江;33